范广涵教授，国内最先从事氮化镓蓝色LED发光材料研究（1972年起）和MOCVD技术研究（1982年起）的著名光电子专家，是中国LED研究应用的开拓者。粤港关键领域重点突破招标项目—发光二极管（LED）外延片材料和生长方法，验收评定为国际先进。 范教授是国内最先从事氮化镓蓝色LED发光材料研究（1972年起）和MOCVD技术研究（1982年起）的光电子专家。早在1972年，他就开始以氯化物法在蓝宝石衬底上生长 GaN基蓝光材料和器件，一直在宽禁带的II-VI和III-V族半导体蓝色LED材料领域进行研究工作，积累了光电子材料与器件学科的丰富经验。他作为副组长承担的863计划光计算机项目“II-VI族超晶格结构光学双稳器件研究”鉴定时被认为具有国际领先水平，获中科院自然科学一等奖，他负责的国家自然科学基金项目“ZnSe/ZnS光波导研究”被评为优等。 1983年，他发表在《发光与显示》上的“MOCVD法和II-VI族材料的制备”一文为我国最早专门介绍MOCVD法的文章，先后在国内和英国设计组装了8套MOCVD系统，其中1986年设计建造的II-VI族MOCVD系统获得中科院科技进步二等奖。 他以访问学者、副研究员、研究员身份去英国曼彻斯特理工大学和东北威尔士学院从事II-VI和III-V族化合物光电子材料的MOCVD生长研究工作达六年。在ZnSe蓝色激光材料研究中取得突破性进展，发表的论文被引用数十次。他通过红外光谱法和质谱法对MOCVD外延的热分解和淀积反应机理进行了深入研究，研究成果得到英国联合攻关项目评审专家的表扬和嘉奖。1995年他应南昌大学的校长之邀回国并担任该校材料科学研究所所长，承担了国家863计划氮化镓蓝光LED项目，自己设计和组装了MOCVD系统，以及组建相关测试及芯片制备实验室，为南昌大学以后的材料研究工作奠定了良好基础。 1998年范广涵教授来华南师范大学后担任MOCVD实验室主任,创建光电子材料与技术研究所，担任光电子材料与技术研究所所长和广州亮达光电器件有限公司总经理兼总工程师，组建了一支由教授、博士和硕士的科技攻关队伍，带领全队成员努力拼搏，建起国际先进水平的MOCVD实验室，以及X-射线双晶衍射、光荧光扫描、霍尔和载流子浓度深度分布测试等分析实验室。解决了高质量四元系单晶薄膜生长、双异质结和多量子阱结构的设计与生长、电子阻挡层和布拉格反射器的制备等技术难关。研制出的GaAlInP四元系超高亮度LED技术指标大大超越承担项目时的要求，已积累了研制超高亮度LED产业化的实际经验，为高校在“产学研相结合”的科研发展上进行有益的探索。 2002年3月，范教授在英国剑桥大学的MOCVD设备上用自有技术进行了GaN基多量子阱结构的蓝光LED外延生长。制备的蓝光LED外延片结果达到同年国际先进水平，LED芯片发光功率达4mW以上，平均发光功率达3.7mW。已申请了多项GaN基LED方面发明专利和多项光电子应用产品的专利。目前，范教授积极参与LED标准化和大功率白光LED可靠性的研究。 范教授承担了国家科技部“2000年国家科技攻关计划”中的地方重点攻关项目“超高亮度发光二极管和面发光半导体激光器”，以及省市重大攻关项目多项。曾获“中科院自然科学一等奖”、“中科院科技进步二等奖”和“江西省科技进步一等奖”等奖励。 范广涵教授培养了一批光电子材料与器件领域的博士和硕士和专家，近些年来，负责及参与项目涉及金额达3000多万元，尤其是2010年结题的粤港关键领域重点突破招标项目—发光二极管（LED）外延片材料和生长方法，验收评定为国际先进。