首页>演讲嘉宾> 朱慧珑更新时间:2015-12-18

朱慧珑简历邀请出席

中国科学院微电子研究所研究员朱慧珑照片 朱慧珑

朱慧珑,中国科学院微电子研究所研究员,博士生导师。 提出了多项提高芯片性能的核心技术方案,其中包括双应力薄膜(Dual Stress Liner)、应力近临技术(stress proximity technique)、减薄栅极的应变MOSFET等; · 较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象,提出了新的数学模型及解析解法,并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。2000年-2009年 IBM半导体研究和开发中心(SRDC), 位于纽约的Hopewell Junction。.提出了多项提高芯片性能的核心技术方案,其中包括双应力薄膜(Dual Stress Liner)、应力近临技术(stress proximity technique)、减薄栅极的应变MOSFET等。较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象,提出了新的数学模型及解析解法,并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。

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