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首页 > 商务会议 > IT互联网会议 > 2019第89期“国际名家讲堂”——用于IGBTs和WBG功率器件的栅极驱动芯片(南京) 更新时间:2019-05-31T11:17:34

2019第89期“国际名家讲堂”——用于IGBTs和WBG功率器件的栅极驱动芯片(南京)
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2019第89期“国际名家讲堂”——用于IGBTs和WBG功率器件的栅极驱动芯片(南京) 已截止报名

会议时间:2019-06-27 08:00至 2019-06-28 18:00结束

会议地点: 南京  南京江北新区产业技术研创园(浦口区团结路99号孵鹰大厦A座3楼316)  

会议规模:暂无

主办单位: 工业和信息化部人才交流中心

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发票类型:增值税普通发票 增值税专用发票
领取方式:会后快递 会前快递 
发票内容: 会议费 会务费 会议服务费 
参会凭证:现场凭电话姓名参会

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        会议介绍

        会议内容 主办方介绍


        2019第89期“国际名家讲堂”——用于IGBTs和WBG功率器件的栅极驱动芯片(南京)

        2019第89期“国际名家讲堂”——用于IGBTs和WBG功率器件的栅极驱动芯片(南京)宣传图

        Abstract:

        Power MOSFETs, IGBTs and wide bandgap (WBG) power devices are widely used in power electronic systems. As the Si-based power device technology is reaching its theoretical performance limit, more and more efforts have been placed on the gate driver design to further improve the device performance. Recent trends for smart gate driver ICs are to integrate a variety of complex functions to provide better protection, monitoring, and local control of the switching behaviour of the power device. This course reviews selected current commercially available gate driver ICs as well as depth studies on examples of recent smart integrated gate driver ICs. In particular, smart gate driver ICs with innovative integrated features such as indirect/non-intrusive collector current sensing, on-chip CPU for digital processing, dynamic gate driving strength for EMI suppression, etc. Local current regulation can also be achieved without any extra discrete components or external digital controller.

        功率MOSFETs、IGBTs和宽带隙(WBG)功率器件在电力电子系统中有着广泛的应用。随着硅基功率器件技术逐渐达到理论性能极限,越来越多的人将精力放在栅极驱动器的设计上,以进一步提高器件的性能。智能栅极驱动芯片的最新趋势是集成各种复杂的功能,以便对功率器件提供更好的保护、监测以及开关行为的本地控制。本课程回顾了一些当前市面上可用的栅极驱动芯片,并对最近的智能栅极驱动芯片的案例进行深入研究,特别是具有如下创新集成特性的智能栅极驱动芯片:间接/非侵入式集电极电流感测、片上CPU数字处理、动态栅极驱动强度以抑制电磁干扰等。在不需要额外的分立元件或外部数字控制器的情况下,也能实现本地电流调制。

        Course Description:

        1. Basic Gate Drive Requirements

        This session begins with a review of basic gate drive requirements and the switching behavior of power MOSFETs, IGBTs, and wide bandgap (WBG) power devices such as SiC MOSFETs, and GaN HEMTs. The turn-on/off processes of a typical IGBTs will be examined with special attention on the Miller plateau, dv/dt, di/dt, and ringing oscillation. Several commercially available gate driver ICs will be used to illustrate the typical functionality and protection features. These includes gate current sourcing/sinking, external gate resistor, level shifting, dead-time control, and under voltage lockout (UVLO).

        1.基本栅极驱动要求

        本课程首先回顾基本的栅极驱动要求以及功率MOSFETs、IGBTs和宽带隙(WBG)功率器件(如SiC MOSFETs和GaN HEMTs)的开关特性。我们将特别关注米勒高台、dv/dt、di/dt和振铃振荡对典型IGBTs开关过程的影响。我们将用一些商用门驱动芯片来说明典型的功能和保护特性。这些包括栅电流源/沉、外部栅电阻、电平转换、死区时间控制和欠压锁定(UVLO)。

        2.Smart Gate Driver IC Design Examples

        Recent trend in gate driver design include many intelligent features such as on-chip CPU for dynamic control, flexible gate voltage levels, multi-stage driving speed for slew-rate control, precise timing control, current sensing capability for close-loop regulations, and active gate driving mode with continuous optimized dead-time. This session provides an introduction to various smart gate driver designs. The first topic focuses on IGBT gate drivers with indirect/non-intrusive collector current sensing. This is useful for both monitoring and protection of the IGBTs. The second topic emphasizes on the benefits of dynamic gate driving on suppressing EMI and enhancing power conversion efficiency. The final topic highlights the importance of precision timing and dead-time correction. This is especially critical for GaN power devices where the switching operation can in multi-MHz range, requiring pico-second resolution in the dead-time adjustment.

        We expect that, after attending this short course, the audience will obtain a useful insight on basic gate driver requirements and gain exposure to future design trend in smart gate driver ICs.

        2.智能栅极驱动IC设计实例

        栅极驱动设计的最新发展趋势包括许多智能特性,如用于动态控制的片上CPU、灵活的栅压电平、用于压摆率控制的多级驱动速度、精确的时序控制、用于闭环调节的电流感测能力以及具有连续优化死区时间的主动栅极驱动模式。本课程将介绍各种智能栅极驱动器的设计。第一个主题是使用间接/非侵入式集电极电流感测技术的IGBT栅极驱动器。这对监测和保护IGBTs都很有用。第二部分着重讨论了动态栅极驱动技术在抑制电磁干扰和提高功率转换效率方面的优势。最后一个主题强调了精确时序和死区时间校正的重要性。这对于GaN功率器件尤其重要,因为开关操作会在兆赫兹频率范围内进行,其在死区调整时需要皮秒级分辨率。

        我们希望通过这门简短的课程,让学员们对智能栅极驱动芯片的基本需求有深入的学习,并对智能栅极驱动芯片的未来设计趋势有所了解。

        会议时间:2019年6月27-28日(周四、周五)

        会议地点: 南京市江北新区·产业技术研创园孵鹰大厦A座316

        会议主题:用于IGBTs和WBG功率器件的栅极驱动芯片

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        工业和信息化部人才交流中心

        工业和信息化部人才交流中心(以下简称中心)创建于1985年1月,1992年10月成为独立事业法人单位,工业和信息化部所属的党政机关一类事业单位(正局级),是经中央机构编制委员会办公室批准,国家事业单位登记管理局注册登记,是工业和信息化部在人才培养、人才交流、智力引进、国际交流、会议展览等方面的支撑机构;也是人力资源和社会保障部、工业和信息化部“全国信息专业技术人才知识更新工程”及“信息化工程师”项目实施承办单位。

        会议日程

        DAY1(6月27日) DAY2(6月28日)

        (最终日程以会议现场为准)


        Day 1 (9:00 – 16:30)

         9:00 am

        Registration 开始

         9:30 am

        Power Semiconductor Devices — an Overview

        • Introduction to Power Devices, Power ICs and Power SoCs,
          a Historical Perspective
        • Discrete and Integrated Power Semiconductor Devices
        • Power MOSFETs, IGBTs
        • FOM, SOA and Reliability

        功率半导体器件--概述

        从历史的角度,对功率器件、功率集成电路和功率SoCs进行介绍

        分立和集成功率半导体器件

        功率MOSFETs, IGBTs

        FOM、SOA和可靠性

         10:30 am

        Break  茶歇

         10:50 am


        Power Semiconductor Devices (cont’d)

        • Power Output Stage
        • Understanding Power Device Data Sheets
        • Evolution of Power IC Technology
        • The Semiconductor Industry and More than Moore

        功率半导体器件(续)

        功率输出阶段

        理解功率器件数据表

        功率集成电路技术的发展

        半导体行业和后摩尔时代

        GaN and SiC Power Technology

        • GaN and SiC Material Properties
        • Depletion and Enhancement Mode GaN Power HEMTs
        • Cascode Configuration
        • Integrated GaN Output Stage/Pre-driver
        • SiC Power MOSFETs and IGBTs

        氮化镓和碳化硅功率技术

        氮化镓和碳化硅材料性能

        耗尽和增强模式GaN功率HEMTs

        共源共栅结构

        集成GaN输出级/前置驱动器

        碳化硅功率mosfet和IGBTs

          12:00 pm

        Lunch  午饭

          13:30 pm

        Basic Gate Drive Considerations

        • Switching Behavior of Power MOSEFTs and IGBTs
        • Gate Charge and Miller Plateau
        • Gate Drive Power Loss
        • Basic Gate Drive Circuit
        • Gate Resistor

        基本栅极驱动注意事项

        功率MOSEFTs和IGBTs的开关特性

        门电荷和米勒高台

        栅极驱动功率损失

        基本栅驱动电路

        栅极电阻

         14:40 pm

        Break  茶歇

         15:00 pm

        Basic Gate Driver Designs

        • Low-side and High-side Drivers for Half and Full-bridges
        • Bootstrap Power Supply
        • Level Shifting and Isolation
        • Low-side to High-side Communication
        • dv/dt, di/dt, and Ringing Oscillation
        • Dead-time
        • UVLO Protection

        基本栅极驱动器设计

        用于半桥和全桥的低侧和高侧驱动

        自举电源

        电平转换和隔离

        低侧到高侧间通讯

        dv/dt, di/dt,振铃振荡

        死区时间

        UVLO保护

        16:30 pm

        End 结束

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        Day 2 (9:30 – 16:30)

        9:30 am

        Smart Gate Driver ICs

        • Custom Design vs. Off the Shelf Driver ICs
        • Dynamic Gate Drive
        • Current Sensing/Fault Detection
        • Parallel Operation/Surge Suppression

        智能栅极驱动芯片

        定制设计vs.现成的驱动芯片

        动态栅极驱动

        电流传感/故障检测

        并行操作/浪涌抑制

         10:30 am

        Break  茶歇

        10:50 am

        Smart Gate Driver ICs (cont’d)

        • dv/dt, di/dt Controls
        • EMI Suppression
        • Body-Diode Conduction and Reverse Conduction
        • Dead-time Correction

        智能栅极驱动芯片(续)

        dv/dt, di/dt控制

        EMI抑制

        体二极管导通和反向导电

        死区时间校正

         12:00 pm

        Lunch 午饭

        13:30 pm

        Smart Gate Driver ICs (cont’d)

        • Integrated Cascode Gate Drivers for D-mode GaN Transistors
        • Integrated Gate Drivers for E-mode GaN Transistors
        • Co-packaged Power Modules
        • Future Trends on Intelligent Power Modules

        智能栅极驱动芯片(续)

        用于D型GaN晶体管的集成共源共栅栅极驱动器

        用于e型GaN晶体管的集成栅驱动器

        Co-packaged电源模块

        智能电源模块的未来发展趋势

         14:40 pm

        Break茶歇

        15:00 pm

        Commercial Gate Driver ICs

        • Gate Current Sourcing/Sinking
        • Gate Resistor Selection
        • Gate Drivers for Silicon Devices
        • Predictive Gate Drive
        • Gate Drivers for GaN and SiC Devices

        商用栅极驱动电路

        栅极电流源/沉

        栅电阻的选择

        硅器件的栅极驱动器

        可预测栅极驱动

        用于GaN和SiC设备的栅极驱动器

        16:30 pm

        End 结束

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        会议嘉宾

        (最终出席嘉宾以会议现场为准)


        个人履历:

        吴伟东教授分别于1983年、1985年和1990年在多伦多大学获得电气工程学士、硕士、博士学位;

        1990年,吴教授加入德克萨斯仪器公司的半导体工艺和开发中心,致力于汽车应用的功率器件;

        1992年,在香港大学电子及电气工程学系任教,1993年返回多伦多大学,2008年晋升为全职教授;

        2009年起,吴教授担任IEEE Electron Device Letters的副主编,自2014年起担任多伦多大学多伦多纳米制造中心主任。

        研究领域:

        他的研究兴趣广泛,涵盖智能功率集成电路设计,功率半导体器件,先进的CMOS和射频BJTs。他在电源管理电路、集成DC-DC转换器、智能功率集成电路、功率半导体器件和制造工艺等领域发表了大量论文。吴教授自2009-2018年,担任IEEE电子设备通讯的副编辑。自2014年起,吴教授担任多伦多大学纳米制造中心主任,该中心是多伦多大学的一个公开评估研究机构。他还领导着多伦多的智能电源集成与半导体器件研究小组。他的研究方向包括智能电源集成电路、电源管理集成电路、智能门驱动器集成电路、集成DC-DC转换器、硅和GaN功率半导体器件。

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        参会指南

        会议门票 场馆介绍


        注册费:4600元/人,含参会,住宿交通自理。

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        温馨提示
        酒店与住宿: 为防止极端情况下活动延期或取消,建议“异地客户”与活动家客服确认参会信息后,再安排出行与住宿。
        退款规则: 活动各项资源需提前采购,购票后不支持退款,可以换人参加。

        活动家为本会议官方合作
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        会议支持:

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          具体折扣标准请参见plus会员页面
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